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8月8日-10日，為期三天的全球閃存峰會FMS2023在美國加州聖克拉拉會議中心隆重舉行。FMS閃存峰會是存儲領域久負盛名的國際大會，展示閃存最新技術進展，聚焦全球範圍内領先的3D NAND Flash、DNA存儲、CXL、AI以及DRAM、汽車、數據中心等先進存儲的最新技術和産品。得一微電子（YEESTOR）攜存儲控制芯片、存儲器在内的全系列最新産品和存儲解決方案重磅亮相，分享公司在消費電子、工業和汽車存儲等領域的最新技術和應用成果。

得一微全系列存儲控制芯片産品包括PCIe Gen3、SATA3.2、eMMC5.1、SPI NAND，USB3.2、SD6.1等，針對服務器、遊戲主機、筆記本、平闆電腦、手機、工業等市場都已形成批量供貨，同時得一微不斷結合市場需求提升産品創新能力，推出極具競争力的産品。

本次展示的eMMC5.1主控YS8297，采用28nm工藝，這也是目前全球最先進的eMMC5.1主控工藝。有了先進工藝的加持，該芯片的數據輸入輸出的延時更短，信号抗幹擾能力大幅提升，功耗表現優異。YS8297支持2D MLC，3D TLC/QLC NAND Flash，ONFI 3.X, Toggle 2.0 的Flash接口，順序讀寫速度高達330/230MB/s，支持1.8V和1.2V接口電壓。

同時，YS8297搭載新一代高性能的LDPC糾錯引擎，支持BCH，有效地支持新一代NAND Flash，同時兼容不同制程的Flash。提供E2E端對端的數據保護，進一步提升eMMC的可靠性，非常适用于消費電子、工業級等領域。

展會現場，得一微還公布了即将推出的 PCIe Gen4 NVMe 2.0 SSD YS9303主控芯片參數，其優異的讀寫性能以及低功耗低成本特性，非常适用于Client SSD。

YS9303基于先進的12nm工藝，支持NVMe 2.0接口技術标準，采用得一微自研的NVMe IP。IO速率最高支持到3200MT/s，提供4個Lane和4個NAND Flash 通道，順序讀寫速度達7400MB/s和7000MB/s。  

該芯片采用DRAM-less設計，支持 1.2 V 的接口電壓。支持 E2E 數據保護，使用得一微自研的4K碼長LDPC，有效增強了數據可靠性和耐久性，提升閃存的可能性能及使用壽命。

由于電子設備越來越追求輕薄化以及高效能，對SSD、eMMC5.1主控在低功耗和小尺寸方面提出更高的要求，此次推出的兩款芯片實現技術創新，順應市場趨勢，進一步提升得一微存儲産品組合，滿足智能終端數據存儲市場所需。

近年來得一微大力拓展工業級存儲和汽車存儲領域，推出了完整的工業級存儲解決方案和車規級eMMC存儲，産品以性能卓越、可靠性高等特性，獲得衆多工業/汽車客戶的青睐。

得一微在現場展示了包括2.5寸SATA SSD、mSATA SSD、M.2 SSD、U.2 SSD、BGA SSD、eMMC在内的工業級/車規級存儲産品，産品皆搭載得一微自研的存儲控制芯片，具備寬溫、高度客制、高可靠、高密度封裝、大容量等特性，實現存儲器産品在各種嚴苛環境下的完美表現。産品已被廣泛應用于工業領域，在軌道交通、電力、通訊、車載、工業控制等領域形成了影響力。

在工業嵌入式系統應用中，兼具高性能、輕量化、低功耗和高性價比等優勢的BGA SSD提供了絕佳的存儲解決方案。得一微BGA SSD産品支持SATA、PCIe接口，采用pSLC和TLC顆粒。其中PCIe Gen3x4 BGA SSD，BGA499 Ball的封裝，尺寸僅20x22x1.8mm，性能卓越，支持E2E端到端數據保護，支持-55 °C 至 85 °C的工作溫度，120GB~960GB的大容量可選範圍，産品已得到衆多行業客戶的廣泛認可。

現場得一微電子多款車規級eMMC存儲芯片也備受關注，産品搭配得一微自研eMMC主控芯片，具有優秀的讀寫性能和迅捷的響應速度，已通過國際汽車電子協會AEC-Q100 Grade 2的車規測試驗證，能确保在極端場景下的穩定運行。未來，得一微還将通過BGA SSD産品提供汽車級的可靠性、耐久性和穩定性，并重點布局UFS車規類存儲器産品，滿足不同客戶的全方位場景應用，打造更加全面、高質量的汽車存儲解決方案。

得一微将一如既往深耕存儲技術，不斷創新和突破，以深厚的存儲控制技術，全面的産品布局以及亮眼的市場拓展，服務全球存儲業界合作夥伴，為移動計算終端、智能家居、智慧物聯網、數據中心及雲平台、工業互聯網和智能汽車等各類行業應用，提供以存儲控制技術為關鍵價值的全棧式存算一體及存算互聯解決方案。